Changxin Storage 4F2 impulsa acciones de almacenamiento: Goldman Sachs considera que la brecha de capacidad está disminuyendo, pero la diferencia tecnológica en DRAM avanzado y HBM sigue siendo grande.

Luego de la noticia sobre la tecnología 4F2 de ChangXin, las acciones del sector de almacenamiento sufrieron una pérdida de valor de aproximadamente 738 mil millones de dólares.Goldman Sachs opina que: el mercado subestimó el aumento de la capacidad productiva de ChangXin, pero sobrestimó el avance tecnológico; Samsung y SK Hynix han caído por debajo del valor neto proyectado para 2028, lo cual ya refleja un ciclo bajista.

Una noticia tecnológica que arrasó más de 700 mil millones de dólares de valor

El 10 de octubre, se informó que ChangXin Memory hizo avances en la arquitectura 4F2, una nueva célula de memoria DRAM, y que el presidente de la compañía anunció que planean lanzar productos de memoria de servidor basados en esta arquitectura para finales de 2026.En los días posteriores al anuncio, las acciones de las principales firmas globales de almacenamiento cayeron en general: Samsung Electronics cayó un 20%, SK Hynix un 25%, Micron un 11%, SanDisk un 11%, Kioxia un 26% y la propia ChangXin un 15%. Según Goldman Sachs, el valor total de mercado del sector de almacenamiento se redujo en aproximadamente 738 mil millones de dólares.

Dentro de esta caída hay dos aspectos que no se explican solamente por la “amenaza tecnológica” de ChangXin.Primero, la propia ChangXin cayó un 15%; si el mercado viera realmente el 4F2 como una herramienta para que ChangXin gane cuota de mercado, su acción no debería caer junto con sus rivales. Segundo, Kioxia y SanDisk se concentran en NAND Flash, no directamente relacionadas con la arquitectura de células de memoria DRAM, pero cayeron en proporción similar e incluso mayor que SK Hynix. Por eso, Goldman Sachs considera que la caída incluye también otros factores, como preocupaciones sobre crédito, financiación de IA, y un índice de precios al consumidor superior al esperado.

Aún más relevante es la divergencia entre los precios y las acciones.El precio spot del DRAM es visto como un indicador de la confianza del mercado, porque refleja el precio que distribuidores y clientes pequeños y medianos están dispuestos a pagar en el momento. Durante la caída del valor de mercado de Samsung y SK Hynix, el precio spot del DDR5 16Gb subió desde mediados de septiembre hasta mediados de octubre, y se encontraba en su punto más alto en el mismo momento en que las acciones caían. Esto muestra que las acciones están cotizando en función de preocupaciones sobre la oferta futura, no sobre la oferta y demanda presente.

Este es precisamente el punto que Goldman Sachs está tratando de esclarecer: dentro de las noticias sobre el 4F2 de ChangXin, ¿cuáles preocupaciones están fundamentadas y cuáles ya están sobreestimadas en el precio de las acciones?Sus conclusiones están divididas en dos partes. El mercado podría estar subestimando simultáneamente el ritmo al que China aumenta la capacidad de almacenamiento y el potencial para avanzar tecnológicamente; Goldman Sachs coincide con la primera parte: la capacidad de ChangXin está creciendo rápido; pero respecto a la segunda, cree que el mercado la sobrevalora, porque pasar la validación de clientes, alcanzar altos rendimientos en producción y reducir la brecha en DRAMs avanzadas (como HBM) llevará bastante tiempo.

¿Qué es 4F2? Ganar densidad modificando la estructura de la célula

Un chip DRAM está formado por cientos de millones de células de almacenamiento, cada una de las cuales representa un bit de datos mediante una carga eléctrica.En la industria se usa F para indicar la menor dimensión alcanzable por el proceso tecnológico, y el área de la célula se mide en F al cuadrado. En la actualidad, el diseño más común es 6F2, donde cada célula ocupa 3F×2F; la estructura 4F2 reduce ese área a 2F×2F.

Si F no cambia, pasar de 6F2 a 4F2 permite acomodar aproximadamente un 50% más de células en la misma área, aumentando la densidad de bits.Para una fábrica de obleas, esto significa poder sacar más capacidad por oblea, reduciendo potencialmente el costo por bit.

Pero el costo también es directo.Mientras más chica es la célula, mayor es el riesgo de fugas en el transistor y la carga almacenada se pierde más rápido. ChangXin plantea dos soluciones: usar un transistor VSG (puerta envolvente vertical), donde el canal de corriente es vertical y la puerta envuelve completamente el canal aumentando el control —y minimizando las fugas—; y W2W (wafer to wafer o unión híbrida de obleas), que consiste en fabricar células y circuitos de control en obleas distintas, con procesos adaptados a cada uno, luego alinearlos y unirlos con precisión.

Goldman Sachs, sin embargo, señala las dificultades de fabricar 4F2: hay que lograr uniformidad en los transistores verticales; los capacitores deben almacenar la suficiente carga en menor espacio; las conexiones más densas deben diseñarse minuciosamente para evitar interferencias; y la unión híbrida suma pasos y requiere una alineación muy precisa entre las capas de memoria y de control.Todos estos desafíos pueden aumentar los costos y bajar el rendimiento de fabricación, posiblemente eliminando las ventajas de “poner más células en la misma área”.

¿Por qué ChangXin elige 4F2? Un camino alternativo ante la falta de EUV

Para aumentar la densidad DRAM hay dos vías principales: reducir F o reducir el área que ocupa cada célula (F2).Durante más de una década la industria eligió mayormente el primer camino, dependiendo cada vez más de la litografía avanzada, especialmente la EUV de ASML.

ChangXin no tiene acceso a equipos EUV, y su capacidad para encoger F es limitada.Goldman Sachs interpreta el giro hacia 4F2 como una estrategia ante esa restricción: pasar de 6F2 a 4F2 permite subir la densidad sin depender tanto de litografía avanzada. Así se explica por qué ChangXin acepta primero los desafíos de fabricación de 4F2, a diferencia de las empresas coreanas.

En el informe detallado de agosto ya se discutían similares limitaciones: en China, la tecnología de litografía DUV por inmersión, equipos de medición avanzada, parte del software de fabricación y la certificación de encapsulados HBM aún son débiles; entre la “disponibilidad” del equipo y la “usabilidad” en línea de producción masiva faltan estabilidad, flujo y responsabilidad por el rendimiento.El 4F2 es una vía estructural para eludir el cuello de botella de la litografía, pero traslada el problema a los transistores verticales, condensadores y procesos de unión, sin hacer necesariamente la fabricación más sencilla.

Samsung y SK Hynix también avanzan hacia 4F2, pero sin apuro

El enfoque 4F2 no es exclusivo de ChangXin.Según la prensa coreana, Samsung ya fabricó el primer chip DRAM funcional por debajo de 10 nm con arquitectura 4F2 y VCT (transistor de canal vertical, equivalente al VSG de ChangXin), planeando terminar el desarrollo para su nodo 10a con 4F2 hacia finales de 2026, validarlo con clientes en 2027 y producirlo en masa en 2028. Además, Samsung prevé usar 4F2 y VCT en tres nodos consecutivos (10a, 10b, 10c) y pasar a DRAM 3D desde el nodo 10d.

SK Hynix también incluyó 4F2 en la hoja de ruta tecnológica: en nodos 10nm o menores usarán plataforma de puerta vertical 4F2, y la unión de obleas permitirá ubicar el circuito de control debajo de las células de memoria.En julio de 2026, Hynix validó operaciones de lectura-escritura en un arreglo de prueba 4F2.

La diferencia entre las tres empresas no es quien sabe hacer 4F2, sino por qué lo hace y cuándo tiene que hacerlo.Samsung y SK Hynix cuentan con EUV y pueden seguir mejorando la densidad y rendimiento miniaturizando F, sin asumir prematuramente las pérdidas de rendimiento y mayores costos que trae 4F2; ellos planean usarlo en nodos sub-10nm y producirlo hacia 2028, como escalón cuando el trayecto actual este cerca del límite. Para ChangXin, sin acceso a EUV, 4F2 es casi una obligación.

Por eso Goldman Sachs concluye que el centro del debate sobre 4F2 no es si se puede fabricar en el laboratorio, sino si la arquitectura será capaz de generar avances en eficiencia y rentabilidad de producción.Samsung y SK Hynix avanzan a su propio ritmo, y aunque ChangXin presente muestras primero, no significa que la hoja de ruta coreana se vea afectada.

De diseño a producción masiva: los pasos que le faltan a ChangXin

Goldman Sachs cree que aún es demasiado pronto para evaluar el impacto de 4F2 en los fundamentos de Samsung y SK Hynix.Se necesitan al menos cinco aspectos clave que aún no son públicos: si la fase actual es muestra de desarrollo o de cliente; competitividad en costos frente a productos existentes; rendimiento esperado; cronograma de validación por clientes; y cronograma comercial.

Según lo que se sabe, ChangXin está en fase de diseño con el objetivo de presentar muestras a finales de 2026.Si logra cumplir el plazo, ya es un logro técnico. Pero Goldman Sachs aclara que de la muestra de prueba a la validación de cliente y la producción en masa, la dificultad es mucho mayor.

Esto es incluso más exigente para la memoria de servidor.Los clientes de servidores requieren estándares mucho más altos de estabilidad, compatibilidad y confiabilidad a largo plazo que el consumidor final: un producto nuevo debe superar múltiples pruebas de CPU, placas madre y proveedores cloud antes de ser aprobado para compras; luego de la validación, aún necesita alcanzar altos rendimientos en producción para ser competitivo en costos. Samsung, por ejemplo, planea tener el desarrollo 4F2 listo para fines de 2026, validación en 2027 y producción en masa en 2028, o sea, se requieren unos dos años entre terminar el desarrollo y la producción en volumen. Si ChangXin sigue un calendario similar, la influencia real sobre el mercado sería a partir de 2028 y bajo la condición de lograr buenos rendimientos y costos.

Este es el principal argumento de Goldman Sachs para decir que “el avance tecnológico está sobrevalorado”: el mercado ya refleja en los precios una noticia en fase de diseño de producto, cuyos resultados se verían recién en dos años y todavía dependen de rendimiento y costos.

Diferencia en nodos: 1z frente a 10b y 1c

Más allá del nuevo camino 4F2, la brecha de ChangXin con las empresas coreanas sigue siendo notoria en la tecnología actual 6F2.Los nodos DRAM han evolucionado de 1x, 1y, 1z a 1a, 10b, 1c, donde una letra/número posterior indica mayor avance. Según datos de TF y las empresas, Samsung y SK Hynix concentran su capacidad en nodos 10b y migran hacia 1c; ChangXin sigue en 1z y probablemente seguirá en ese nodo hacia 2027.

Goldman Sachs prevé que sin EUV a ChangXin le será muy difícil pasar a nodos más avanzados como 10b o 1c.A nivel global, fabricantes de DRAM empezaron hace años a usar EUV en capas de proceso; SK Hynix desde el nodo 1a y Samsung incluso antes. Tal vez ChangXin logre miniaturización extra por otros métodos sin EUV, pero su alcance será limitado y poco rentable.

También existe una clara brecha en la generación de productos.En memorias LPDDR (para celulares y notebooks), en 2026 alrededor del 85% de la producción de Samsung y el 76% de Hynix será LPDDR5 o 5X; en ChangXin solo el 29% será de esa generación, el resto sigue en la anterior LPDDR4 o 4X. El salto de ChangXin de casi cero en 2024 a un 14% en 2025 es rápido, pero en 2026 aún estará por detrás del nivel que los coreanos alcanzaban en 2024.

Diferencia de capacidad: el único índice que se acorta rápidamente

Si la brecha en nodos tecnológicos y generaciones de producto es difícil de cerrar a corto plazo, la capacidad productiva es donde ChangXin avanza más rápido.Goldman Sachs pronostica que para fines de 2026, la capacidad mensual de DRAM de Samsung y SK Hynix será de 770.000 y 660.000 obleas respectivamente, contra 290.000 de ChangXin. Para fines de 2028, ChangXin crecerá rápido hasta 513.000 obleas, un salto del 77% en dos años; Samsung y Hynix solo crecerán a 930.000 y 770.000, un 21% y 17% más.

Según las previsiones de Goldman Sachs, entre fines de 2026 y fines de 2028, ChangXin sumará unas 223.000 obleas mensuales, más que las 160.000 de Samsung y las 110.000 de Hynix; sobre un total de 493.000 obleas nuevas entre las tres, ChangXin representa el 45%.La capacidad mensual de ChangXin equivaldrá al 38% de la de Samsung y subirá al 55%; respecto a Hynix, pasa del 44% al 67%. Y su cuota en el total combinado subirá del 17% al 23%.

Estas previsiones coinciden en líneas generales con las cifras de Morgan Stanley citadas en el reporte técnico de agosto: Morgan Stanley estimó una capacidad de ChangXin de unas 300.000 obleas por mes en 2026 y 500.000 en 2028, señalando que en 2026 ChangXin tendrá el 13% de la capacidad global de obleas DRAM, pero solo el 11% del volumen de bits vendido.Que ChangXin tenga una mayor cuota de obleas que de bits deriva del rezago tecnológico: cada oblea produce menos capacidad. Las dos firmas coinciden en la capacidad, la diferencia está en cuándo afectará esto a los precios.

Goldman Sachs prevé que para 2028 las empresas coreanas sigan líderes de capacidad por mucho, pero reconoce la velocidad y determinación de ChangXin para ampliar su producción.La memoria es una commodity cuyo precio es transparente; incluso si la nueva oferta viene de nodos más obsoletos, con tal de que acceda a mercados clave, bajará el precio marginal. El salto en capacidad afecta más directamente el precio del DRAM que el salto tecnológico, por eso Goldman Sachs coincide en que “el mercado subestimaba el ritmo del aumento de la oferta”.

HBM: la mayor brecha está en el chip base

En cuanto a HBM (memoria de alto ancho de banda), Goldman Sachs cree que a ChangXin le resultará aún más difícil acortar la brecha.HBM apila varios chips DRAM verticalmente conectados mediante TSV y los integra con el GPU, siendo clave para aceleradores de IA. Su competitividad depende no solo del DRAM, sino del encapsulado y la capacidad de fabricar el “chip base” de la pila.

En generaciones anteriores como HBM3, el chip base podía fabricarse con tecnología madura.En las próximas generaciones, para lograr mayor ancho de banda y eficiencia, el chip base pasará a procesos avanzados de fundición: por ejemplo, el chip base del HBM4 de Samsung utiliza procesos de 4nm. Para que ChangXin sea competitiva en HBM de próxima generación, los foundries locales deberían poder producir chips avanzados a gran escala; pero el control de exportaciones limita el acceso a EUV y otras herramientas, haciendo del chip base un cuello de botella persistente para alcanzar el liderazgo de HBM.

Esto amplía la brecha tecnológica de ChangXin de la “tecnología de memoria” a la “tecnología de fundición”.Aunque 4F2 permita a ChangXin avanzar en densidad en DRAM general, no soluciona la dependencia de las HBM en chips base lógicos avanzados. Así, la noticia del 4F2 de ChangXin tendrá impacto limitado en las operaciones de HBM de las empresas coreanas.