Samsung collabore avec ASML pour développer la technologie de lithographie EUV à haute NA

```htmlSelon le Seoul Economic Daily, Samsung Electronics va collaborer avec ASML, le plus grand fabricant mondial d'équipements de lithographie, pour développer ensemble la technologie de lithographie extrême ultraviolet (EUV) à haute ouverture numérique (High-NA). Samsung participe à un projet visant à promouvoir un changement de standard industriel, en passant des masques photolithographiques de 6 pouces utilisés depuis les années 1980 à des versions de 12 pouces, tout en cherchant à être le premier à établir un système de production de masse de DRAM basé sur des équipements High-NA EUV. Samsung prévoit d’appliquer les équipements High-NA EUV à la production de DRAM à partir de 2028, puis d’étendre cette technologie aux procédés logiques avancés de 1,4 nanomètre afin de stimuler le développement de son activité de fonderie. L’agrandissement de la taille des masques vise à pallier les limites de la technologie EUV. L’ouverture numérique du High-NA EUV est supérieure de 66 % à celle des EUV traditionnelles, permettant de créer des motifs de circuits encore plus fins. Le remplacement des masques de 6 pouces actuellement utilisés par des modèles de 12 pouces peut améliorer l’efficacité de la production dans les fabs et réduire les coûts de fabrication des puces.```