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Samsung e SK Hynix aumentano gli investimenti nella capacità produttiva di NAND in Cina, con nuovi impianti a Xi'an e Dalian pronti a partire entro il prossimo anno

Samsung e SK Hynix aumentano gli investimenti nella capacità produttiva di NAND in Cina, con nuovi impianti a Xi'an e Dalian pronti a partire entro il prossimo anno

华尔街见闻华尔街见闻2026/08/25 02:56
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L’esplosione della domanda di server AI spinge i due giganti coreani dello storage ad accelerare gli investimenti nelle linee di produzione cinesi. Samsung Electronics ha aggiornato il suo stabilimento di Xi’an trasformandolo in una base di produzione di massa di NAND V9 a 280 strati, con una capacità mensile prevista di 50.000 unità; ulteriori ordini di investimento saranno finalizzati entro la fine dell'anno. Allo stesso tempo, SK Hynix sta accelerando l’espansione della produzione presso il suo secondo stabilimento a Dalian, con l’obiettivo di raggiungere una capacità mensile di 30.000 unità.

Samsung Electronics e SK Hynix stanno accelerando il rafforzamento della propria presenza produttiva di NAND flash in Cina. I due giganti coreani della memoria pianificano di completare una nuova ondata di investimenti in apparecchiature entro il prossimo anno, per rispondere al rapido aumento della domanda di soluzioni di archiviazione avanzata guidata dai server AI.

Secondo quanto riportato da ZDnet martedì, fonti del settore indicano che Samsung Electronics ha concretizzato il piano d'investimento per la conversione alla nona generazione di NAND nello stabilimento di Xi'an, in Cina, e ha definito una strategia di investimento supplementare. Gli ordini di acquisto delle relative apparecchiature dovrebbero essere finalizzati entro la fine di quest’anno e l’investimento aggiuntivo partirà nella seconda metà del prossimo anno. Per quanto riguarda SK Hynix, l’azienda ha già avviato nel terzo trimestre di quest’anno investimenti in apparecchiature nello stabilimento numero due di Dalian, necessari per l’aggiornamento tecnologico dei prodotti NAND: la capacità produttiva prevista è di circa 30 mila wafer al mese.

Questi piani d’investimento evidenziano come entrambe le aziende stiano individuando le linee produttive in Cina quali pilastri fondamentali per la produzione di massa di NAND di fascia alta. Con l’accelerazione della costruzione delle infrastrutture AI, la domanda di NAND avanzate sul mercato continua a crescere: questa nuova fase di espansione in Cina punta a rafforzare ulteriormente le capacità di fornitura di prodotti di fascia alta delle due aziende.

Stabilimento Samsung a Xi'an: espansione progressiva della V9 NAND

Samsung Electronics ha già avviato quest’anno gli investimenti per la conversione alla V9 NAND sulla linea produttiva X2 di Xi'an. La V9 NAND adotta un’architettura a impilamento di 280 strati, risultando tra le soluzioni NAND più avanzate attualmente disponibili. Si prevede che questa linea avrà una capacità produttiva mensile di 40 mila-50 mila wafer.

Per consolidare ulteriormente la capacità di produzione stabile della V9 NAND, Samsung Electronics ha recentemente definito un piano di investimento supplementare per lo stabilimento, il cui elemento centrale consiste nell’introduzione aggiuntiva di apparecchiature per processi di incisione. Il processo di incisione è una fase chiave nella produzione della NAND: poiché occorre impilare centinaia di strati di celle di memoria, è necessario incidere fori di canale estremamente profondi sul wafer, processo che richiede una precisione e una profondità di lavorazione molto elevate.

Secondo fonti del settore, Samsung Electronics prevede di avviare questo investimento supplementare nella seconda metà del prossimo anno; gli ordini d’acquisto per le apparecchiature saranno concretizzati entro la fine di quest’anno. Secondo quanto affermato, nel biennio 2024-2025 Samsung porterà avanti un’espansione progressiva della capacità produttiva di NAND avanzate in Cina, direttamente motivata dalla crescita rapida della domanda di NAND di fascia alta alimentata da applicazioni come server AI.

Stabilimento SK Hynix a Dalian: investimenti sulle nuove linee in rapida accelerazione

SK Hynix, da parte sua, ha già avviato dal terzo trimestre di quest’anno investimenti in apparecchiature nello stabilimento numero due di Dalian, con l’obiettivo di promuovere un aggiornamento tecnologico dei prodotti NAND. Si apprende che la scala degli investimenti attualmente discussa punta a una capacità produttiva mensile di circa 30 mila wafer, e che tali investimenti proseguiranno fino all’anno prossimo.

Questo ciclo d’investimenti allo stabilimento di Dalian segna l’ingresso di SK Hynix in una fase di significativa accelerazione nello sviluppo della capacità produttiva NAND in Cina. Il ritmo di espansione si coordina inoltre con quello dello stabilimento Samsung di Xi'an, rappresentando una mossa strategica fondamentale dei due colossi coreani per rispondere alle carenze globali nell'offerta di NAND di fascia alta.

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