SKハイニックスは4日、SanDiskと共同で次世代ストレージ技術であるハイバンド幅フラッシュ（HBF）の初の標準規格を発表したと発表しました。この規格は、SKハイニックスが昨年8月にSanDiskとHBF標準化の協力を開始し、本年2月にアライアンスが設立されてから約6ヶ月かけて策定された最初の成果です。本規格は2つの容量構成（8層および16層のNANDチップ積層による最大512GB）を定義し、グレード1から3までの3つのレベルで帯域幅の標準を設定し、データ伝送速度は約0.4TB/sから3.0TB/sをカバーしています。

SKハイニックスは4日、SanDiskと共同で次世代ストレージ技術であるハイバンド幅フラッシュ（HBF）の初の標準規格を発表したと発表しました。この規格は、SKハイニックスが昨年8月にSanDiskとHBF標準化の協力を開始し、本年2月にアライアンスが設立されてから約6ヶ月かけて策定された最初の成果です。本規格は2つの容量構成（8層および16層のNANDチップ積層による最大512GB）を定義し、グレード1から3までの3つのレベルで帯域幅の標準を設定し、データ伝送速度は約0.4TB/sから3.0TB/sをカバーしています。

智通财经2026/08/04 00:45

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SKハイニックスは4日、SanDiskと共同で次世代ストレージ技術である高帯域幅フラッシュメモリ（HBF）の最初の標準規格を発表したと発表しました。今回発表された標準規格は、SKハイニックスが昨年8月にSanDiskとHBF標準化協力を開始し、本年2月にアライアンスを設立した後、約6ヶ月かけて開発された初めての成果です。本規格は、8層と16層NANDチップのスタックという2種類の容量構成を定義しており、最大512GBの容量をサポートします。また、グレード1～3の3つのレベルで帯域幅の標準が設定され、データ転送速度は約0.4TB/sから3.0TB/sまでカバーします。

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