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Samsung e SK Hynix aumentam a capacidade de produção de NAND na China, com investimentos em fábricas em Xi'an e Dalian previstos para serem implementados até o próximo ano

Samsung e SK Hynix aumentam a capacidade de produção de NAND na China, com investimentos em fábricas em Xi'an e Dalian previstos para serem implementados até o próximo ano

华尔街见闻华尔街见闻2026/08/25 02:56
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A demanda por servidores de IA está explodindo e os dois gigantes sul-coreanos de armazenamento estão acelerando seus investimentos em linhas de produção na China. A Samsung Electronics está atualizando sua fábrica em Xi'an para se tornar uma base de produção em massa de NAND V9 de 280 camadas, com capacidade mensal visando 50 mil wafers, e o investimento complementar será fechado até o final do ano. A SK Hynix, ao mesmo tempo, está acelerando a expansão da produção na segunda fábrica em Dalian, com a meta de atingir uma capacidade mensal de 30 mil wafers.

A Samsung Electronics e a SK Hynix estão a acelerar o reforço das suas operações de produção de NAND flash na China. As duas gigantes sul-coreanas do setor de memória planejam concluir uma nova ronda de investimentos em equipamentos até ao próximo ano, em resposta ao aumento explosivo da procura por armazenamento avançado impulsionada por servidores de IA.

Segundo noticiado pelo ZDnet na terça-feira, fontes do setor indicam que a Samsung Electronics já concretizou o plano de investimento para a conversão da nona geração de NAND na sua fábrica em Xi’an, China, e definiu um esquema adicional de reforço de investimentos. As encomendas de aquisição de equipamentos deverão ser formalizadas até ao final deste ano, com o investimento suplementar a arrancar no segundo semestre do próximo ano. Já a SK Hynix iniciou, desde o terceiro trimestre deste ano, investimentos em equipamentos na sua segunda fábrica em Dalian, destinados à atualização tecnológica dos produtos NAND, com o objetivo de atingir uma capacidade de produção de cerca de 30 mil wafers por mês.

Estes planos de investimento demonstram que ambas as empresas estão a posicionar as suas linhas de produção na China como um pilar fundamental para a produção em massa de NAND de alto padrão. Com o ritmo acelerado da construção de infraestruturas de IA, a procura por NAND avançada continua a expandir-se, e esta nova vaga de expansão na China deverá reforçar ainda mais a capacidade de fornecimento de produtos premium por parte das duas companhias.

Fábrica da Samsung em Xi’an: Expansão faseada da V9 NAND

No primeiro semestre deste ano, a Samsung Electronics já deu início ao investimento na conversão da produção para V9 NAND na linha X2 de Xi’an. A V9 NAND utiliza uma arquitetura empilhada de 280 camadas, sendo atualmente o produto mais avançado do segmento NAND, estimando-se uma capacidade mensal de produção entre 40 e 50 mil wafers nesta linha.

Para consolidar ainda mais a capacidade de produção estável da V9 NAND, a Samsung Electronics decidiu recentemente um plano de investimento suplementar para esta fábrica, cujo foco principal é a introdução adicional de equipamentos de gravação (etching). O processo de gravação é um passo essencial na fabricação de NAND — já que o produto requer o empilhamento de centenas de camadas de células de armazenamento, sendo necessário gravar sulcos profundos nos wafers, o que exige precisão e profundidade técnicas extremamente elevadas.

Fontes do setor revelam que a Samsung Electronics planeia executar este investimento suplementar no segundo semestre do próximo ano, com as encomendas de equipamentos previstas para concretização até ao final deste ano. Segundo as mesmas, a Samsung irá promover, faseadamente entre este ano e o próximo, a expansão da capacidade de produção de NAND avançada na China, motivado principalmente pelo rápido crescimento da procura por NAND topo de gama em aplicações como servidores de IA.

Fábrica da SK Hynix em Dalian: Investimento em nova linha acelera consideravelmente

No caso da SK Hynix, a empresa iniciou investimentos em equipamentos na sua segunda fábrica em Dalian desde o terceiro trimestre deste ano, com o objetivo de promover a atualização tecnológica dos produtos NAND locais. O volume de investimento atualmente em discussão prevê uma capacidade de produção mensal de cerca de 30 mil wafers, sendo que os aportes deverão continuar ao longo do próximo ano.

Este ciclo de investimento na fábrica de Dalian marca uma fase de aceleração substancial na construção da capacidade produtiva de NAND da SK Hynix na China, refletindo-se numa cadência alinhada com o ritmo de expansão da fábrica da Samsung em Xi’an. Assim, as duas gigantes da memória da Coreia do Sul adotam medidas coordenadas para responder à escassez global na oferta de NAND de alta gama.

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