Desistência do 4F², produção em massa de HBM4, aceleração do G11 NAND... Seminário técnico da Micron (MU.US) revela o roteiro, JPMorgan mantém classificação "overweight".

De acordo com o aplicativo de notícias financeiras Zhihu Financeira, o relatório mais recente do JPMorgan aponta que a Micron Technology (MU.US) apresentou em seu seminário de tecnologia para investidores em 21 de outubro as mais recentes inovações tecnológicas e planos de longo prazo em três linhas de produtos principais: DRAM, HBM e NAND. A equipe de analistas liderada por Harlan Sur acredita que o roteiro tecnológico da Micron é claro e visionário, e espera-se que a empresa continue se beneficiando do aumento da demanda por armazenamento impulsionada por IA, mantendo assim sua recomendação de “overweight”.

Mantendo a arquitetura 6F² DRAM, avanço paralelo na DRAM 3D

O JPMorgan destaca em seu relatório que, no que diz respeito à evolução da arquitetura do DRAM, a Micron respondeu de forma clara à disputa na indústria entre as rotas tecnológicas 6F² e 4F². A Micron afirmou que a próxima geração de nodos DRAM continuará utilizando a arquitetura 6F², e não 4F². A empresa expressou confiança em manter sua liderança em consumo de energia e desempenho por meio de uma rigorosa miniaturização dos nodos, inovações em processos e otimizações a nível de produto.

A Micron revelou que sua pesquisa sobre 4F² DRAM já dura cerca de 20 anos, mas decidiu não adotá-la principalmente devido ao aumento da complexidade do processo, maiores custos e benefícios limitados resultantes da miniaturização.

O JPMorgan detalhou em seu relatório três grandes desafios que a arquitetura 4F² enfrenta na fabricação: primeiro, o processo requer deposição e gravação mais densas, aumentando significativamente a probabilidade de problemas de rendimento; em segundo lugar, o 4F² tem exigências de tolerância de processo mais rigorosas (como alinhamento e overlay), causando pressão maior sobre a manufaturabilidade e o rendimento; por fim, a arquitetura 4F² é propensa ao “Efeito Corpo Flutuante” (Floating Body Effect), resultando na captura de carga no canal do transistor, causando perda de desempenho e problemas de corrente de fuga.

Além disso, a Micron refutou a visão de que o 4F² é superior ao 6F² em densidade, enfatizando que a densidade de bits do DRAM é determinada, em última análise, pelo espaçamento do capacitor (Capacitor Pitch), e não pelo espaçamento das interconexões (Interconnect Pitch).

De acordo com o roteiro divulgado atualmente, a Micron continuará utilizando a arquitetura planar baseada em 6F² nos próximos nodos de DRAM (esperado até 2030), desenvolvendo paralelamente a tecnologia DRAM 3D.

Roteiro HBM se expande, customização e empilhamento vertical em foco

No campo muito disputado de HBM, a Micron afirmou que o HBM4 já entrou em produção em larga escala, com boa progressão, enquanto a próxima geração, HBM4E, já está no roteiro, e a empresa está enviando amostras para clientes-chave este ano.

Olhando para o futuro, a Micron prevê que HBM padrão e customizada coexistirão por muito tempo. Com a customização de HBM, é possível integrar IP de memória e IP lógica no base die, viabilizando uma colaboração de design mais profunda com o cliente. A equipe da Micron destacou que os futuros produtos padrão JEDEC HBM e customizados utilizarão nodos de foundry, sendo que o HBM4E, pelas demandas de velocidade, consumo e funcionalidade, exigirá processos CMOS ainda mais avançados.

Além de HBM padrão e customizado, a Micron destacou duas arquiteturas de memória de longo prazo importantes: HBM Vertical (Vertical HBM) e memória vertical para inferência de borda (vEIM). A HBM Vertical posiciona a memória diretamente sobre o processador, encurtando o caminho de armazenamento para processamento, oferecendo assim largura de banda significativamente maior; enquanto a vEIM utiliza abordagem similar, mas otimizada para casos de uso de inferência de IA de borda com baixo consumo (HBM Vertical foca em alta largura de banda, vEIM em baixo consumo).

A Micron enfatizou que técnicas como união híbrida, maior número de camadas empilhadas, gerenciamento térmico avançado e design colaborativo com clientes estão cada vez mais importantes no roteiro do HBM. Entretanto, com o avanço do HBM, HBM Vertical e vEIM, se comparado com a produção padrão de DRAM, esses produtos consomem mais wafers, o que significa que a relação wafer‑bit continuará sob pressão.

NAND salta para G11, produtos com foco em IA expandem mercado

No segmento NAND, após passar dos nodos líderes G7 a G9, a Micron fará um salto direto para o nodo G11, otimizado para cargas de trabalho de IA. Em comparação ao G9, o G11 busca cerca do dobro de densidade de bits, até 1,5x mais velocidade de I/O e diminuição de consumo de energia por bit transferido em mais de 25%, com número de camadas empilhadas superior a 400.

O nodo G11 também marca a introdução oficial da técnica de união wafer a wafer (Wafer-on-Wafer) na fabricação de NAND da Micron. A empresa espera que o G11 entre em produção em massa na segunda metade de 2027 e planeja divulgar mais detalhes no próximo ano. Além disso, a Micron pretende continuar sua miniaturização após o G11, utilizando novos materiais e arquiteturas celulares de maior densidade.

No nível de produto, a Micron está desenvolvendo dois produtos NAND voltados à IA: um baseado em SLC de alta velocidade (entregando de 25 milhões a 100 milhões de IOPS), projetado para GPUs extraírem grandes volumes de pequenos blocos de dados em tarefas como pesquisa vetorial e recuperação de contexto em IA; outro utilizando TSV para empilhar dies de NAND sobre chips lógicos, posicionando pesos de modelos, amplos contextos e caches KV mais próximos ao acelerador (mas não necessariamente junto às GPUs, pois a Micron acredita que isso não traz benefícios significativos). Dada a maior complexidade dos custos, a Micron está desenvolvendo esse segundo produto em colaboração com clientes, enquanto espera diferentes fatias de mercado para ambos, dependendo do segmento final atendido.

Na área de SSDs para data centers, a Micron foi a primeira fabricante a produzir em massa SSDs PCIe Gen6 e entregar drives de 245TB. O menor custo por bit proporcionado pelos nodos avançados deve apoiar novo crescimento em discos de alta capacidade. O JPMorgan acredita que o roteiro NAND da Micron permitirá que ela colha todos os benefícios do crescimento da demanda por armazenamento impulsionada pela IA e mantenha ou aumente sua fatia entre os três principais fornecedores mundiais de SSDs empresariais (eSSD).

Profundidade na colaboração com clientes e P&D de longo prazo, IA eleva eficiência

A Micron detalhou uma grande transformação em seu modelo de cooperação com clientes. Em contraste com três ou quatro anos atrás, hoje as parcerias começam já na fase conceitual e vão até design conjunto, qualificação e produção em massa, incluindo projetos customizados com diversos provedores de serviços em nuvem (CSP). Por exemplo, a Micron está customizando LPDDR6 para uso da Meta (META.US) em data centers; a Weka evoluiu de uma empresa do portfólio da Micron Ventures para parceira comercial.

Em pesquisa e desenvolvimento, os investimentos de longo prazo da Micron cobrem três horizontes: primeiro, o compromisso de investir US$ 550 milhões na Micron Ventures em 3 a 10 anos; segundo, a colaboração com Albany NanoTech/NY CREATES no desenvolvimento de EUV de alta abertura numérica (High-NA) e no roteiro de litografia para DRAM em 5 a 10 anos; terceiro, o anúncio no verão deste ano de um laboratório de pesquisa de US$ 10 bilhões mirando ciclos de mais de 10 anos.

Adicionalmente, a Micron está aplicando IA em todo o ciclo de desenvolvimento, desde pesquisa inicial até fábricas de wafers. Dados mostram que, em seu mais novo controlador SSD para data centers, o design e verificação assistidos por IA reduziram o tempo de tape-out à metade em relação à geração anterior; firmware gerado por IA, análise de causas-raiz e seleção inteligente de testes permitiram reduzir em 60% o tempo até que SSDs para data centers estejam prontos para clientes.

O objetivo da Micron é acelerar em 2 vezes o caminho da inovação até a produção em alto volume (HVM) e está aprofundando parcerias com fornecedores de litografia, encapsulamento/hibridização e processos de filmes finos. O JPMorgan acredita que esses esforços são cruciais para a capacidade da Micron de conduzir múltiplos projetos em paralelo.